Publication date: 10 March 2026
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企查查信息显示,近期,小米科技有限责任公司已向相关部门提交多枚「小米智能存储」商标注册申请,分类覆盖科学仪器、通讯服务及网站服务等领域,商标状态目前均处于注册申请或等待实质审查阶段。
据TheElec,三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存,该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产,不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造,负责后端的金属布线和表面处理工艺。(财联社)